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李开复：中国芯有很长的路 但AI超越美国只需5年
昨日，富士康集团在深圳举办实体经济与数字经济融合发展高峰论坛，并庆祝富士康30周岁生日，创新工场董事长兼CEO李开复在《AI-工业互联网与消费互联网的融合发展》分论坛进行了主题分享。 他首先谈到了中美在人工智能领域的差距与不同，李开复表示不同意很多专家认为美国领先的观点，其实中国在很多领域是绝对领先的，我们有很好的基础，并且，人工智能全面超越美国只需要五年，但他补充道，“芯片方面我们还有很长的路要走”。
北斗芯片成功迈入28nm时代，撬动中下游千亿市场
集微网消息，北斗芯片通常指可以接收由北斗卫星发射的信号，从而完成定位导航功能的芯片组，包含射频芯片、基带芯片以及微处理器。基带芯片是导航接收机的核心器件，其功能和性能通常决定了整机的性能指标，其主要功能是完成对指定卫星信号的捕获、跟踪、数据解调，并给出卫星信号的伪距、载波相位等测量信息。
前三星高管坐镇，Rokid首颗AI芯片让成本降低30%？
集微网消息（文/小北）据外媒technode报道，我国AI初创企业Rokid将于6月26日在杭州举办的成立4年以来的首次发布会Rokid Jungle上发布自研智能语音芯片。
不止出售Arm中国51%股权！Arm中国合资公司或于今年登陆A股
摘要：Arm将把Arm中国公司51%股权，以7.752亿美元出售给由厚安创新基金领导的财团。同时有消息称，Arm中国合资公司计划在中国进行IPO，最快将在今年登陆国内A股市场。
联发科5G芯片Helio M70有望2019年亮相
联发科5日宣布旗下采用台积电7奈米制程技术的Helio M70 Modem晶片解决方案，已决定将在2019年正式出货，这个全新世代的Modem晶片产品线几乎早了半年宣布推出及量产，除了宣示联发科在5G通讯技术更完整的布局决心及一贯性的强大研发战力外，也凸显5G市场及应用商机已开始发酵
联发科：要让5G与AI无处不在，5G基带芯片M70明年商用
集微网消息，近日在台北国际电脑展（Computex）上，联发科技执行长蔡力行表示，十分看好公司下半年的发展前景。在最热门的5G和AI领域，联发科拥有广泛的技术、IP产品和portfolio，未来将不断扩充各种不同的应用，力争在手机或智慧家庭等领域把5G、AI等产品用最好的形式带给使用者最佳的体验。
台积电第3季有可能旺季不旺，联发科凭借Helio P系列翻身？
受到2018年第3季包括苹果(Apple)订单似乎递延，加上Android阵营在第2季力推新机后，也需要一段时间来刺激换机需求，配合全球PC与NB市场需求依旧乏善可陈，台积电第3季有可能旺季不旺的消息，已在两岸半导体产业链传了开来，台湾及以外地区芯片供应商也认为第3季客户下单至今不甚踊跃的情形，确实提高了未来一季业绩预估难度。
国产首款5G芯片 展锐曾学忠：今年下半年将推出
近期，“中国芯”全民热议仍在持续。对此，紫光集团全球执行副总裁兼紫光展锐CEO曾学忠表示，未来10年是人工智能时代， 5G和AI将会迎来爆发，技术变革的驱动力也来自芯片。
东芝存储出售，日本电子立国政策离破产越来越近？
东芝存储(TMC)出售案，于2018年6月1日完成，象征曾鼓吹电子立国的日本企业，在显示面板产业后，又放弃存储产业，虽然还有CMOS影像传感器、汽车半导体等利基市场，以及半导体设备与材料产业存在，可是日本电子立国政策离破产越来越近，也可说是不争的事实。
三支箭瞄准5G移动运算市场 Arm发布新款IP产品
抢先布局5G世代移动运算商机，安谋国际(Arm)于Computex 2018开展前发布三款IP产品，包含Cortex-A76 CPU、Mali-G76 GPU及Mali-V76 VPU，以提升游戏与AR/VR体验，人工智慧(AI)和机器学习(ML)能力。透过这三款新产品，Arm将持续强化该公司于移动领域的竞争优势，也再度增强了智慧手机、平版电脑、PC等移动终端装置的运算效能。
比特币价格跌回7500美元 可AMD和英伟达股价却创新高
比特币震荡下挫后，曾经依赖“矿机”丰厚利润的芯片公司股价依然凶猛上涨。
美光：下一代1Y nm工艺DRAM正在验证中，暂不需要EUV光刻
今年台积电、三星及Globalfoundries等公司都会量产7nm工艺，第一代7nm工艺将使用传统的DUV光刻工艺，二代7nm才会上EUV光刻工艺，预计明年量产。那么存储芯片行业何时会用上EUV工艺？在美光看来，EUV光刻工艺并不是DRAM芯片必须的，未来几年内都用不上，在新一代工艺上他们正在交由客户验证1Y nm内存芯片，未来还有1Z、1α及1β工艺。 3891_201806050613422lAwW.jpg 内存行业在未来几年都不需要EUV光刻机 内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路，生产制造过程有相似之处，不过工艺并不相同，CPU逻辑工艺今年进入到了7nm节点，但内存主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1X nm节点（16-19nm之间），后面的1Y nm则是14-16nm之间，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体对应xx nm就不明了。 三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。 美光CEO Sanjay Mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题，在EUV光刻工艺上，他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它。